Le carbure de silicium est un matériau de structure pour les dispositifs électroniques. L’étude des nanocristaux de carbure de silicium a connu de grands progrès grâce aux propriétés physiques considérables de ces nanocristaux (applications sous haute puissance, haute fréquence et haute température ). Le projet consiste à étudier la croissance épitaxiale de ces nanocristaux sur du silicium pour mieux comprendre le phénomène de nucléation et leur mécanisme de croissance afin de contrôler leurs densités de nucléation et leurs tailles.
Synthèse des nanocristaux de carbure de silicium (SiC) épitaxiés sur du silicium (Si) par un procédé économique de recuit thermique sous CO2
Analyse physico-chimique (microscopie électronique à balayage, microscopie électronique en transmission, ellipsométrie)
Expériences en salle blanche
Etude de l’influence des paramètres de recuit sur la croissance et la nucléation des nanocristaux
Etablissement des plans d’expérience et planification des taches
Analyse des données et interprétation des résultats
Organisation des réunions d’avancement du projet
Rédaction de rapports de synthèse
Environnement technique :
Pack Office
Excel : Analyse des données
Origin Lab : Traitement des données
Image J : Logiciel de traitement d’images
MEB : Microscopie électronique à balayage
TEM : Microscopie électronique en transmission
Ellipsométrie : Caractérisation et analyse de surface
